Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in neue GaN-Chipfertigung in Villach

Bis 2034 will der Konzern rund 1,1 Milliarden Euro investieren, um die Produktion effizienterer Leistungselektronik auszubauen. Der Produktionsstart ist für Ende 2027 geplant.

Größere Wafer sollen die Fertigung effizienter machen

Die neue Anlage soll eine Technologie in die industrielle Serienproduktion überführen, die Infineon bereits im Rahmen erster 300-Millimeter-GaN-Wafer erprobt hat. Gegenüber der bisherigen Fertigung auf 200-Millimeter-Wafern ermöglicht der größere Durchmesser laut Unternehmen rund 2,3-mal so viele Chips pro Wafer. Dadurch lassen sich die Produktionskapazitäten effizienter nutzen.

Für den Ausbau will Infineon vorhandene Reinraumflächen in Villach verwenden und die bestehende Infrastruktur modernisieren. Das soll den Aufbau der Fertigung wirtschaftlicher gestalten, ohne vollständig neue Produktionsflächen schaffen zu müssen.

GaN für KI-Rechenzentren und Elektromobilität

Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial, das elektrische Energie mit vergleichsweise geringen Verlusten schalten und umwandeln kann. Leistungshalbleiter auf dieser Basis ermöglichen kompaktere und effizientere elektronische Systeme, die weniger Wärme entwickeln.

Die Technologie gewinnt unter anderem für die Stromversorgung von KI-Rechenzentren, die Energieinfrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik an Bedeutung. Infineon reagiert mit der geplanten Fertigung auf die erwartete steigende Nachfrage nach solchen Komponenten.

Nach Einschätzung von Marktanalysten könnte der weltweite Markt für GaN-Leistungshalbleiter bis 2031 auf rund 3,5 Milliarden US-Dollar wachsen. Für den Zeitraum von 2025 bis 2031 wird ein durchschnittliches jährliches Wachstum von etwa 35 Prozent erwartet.

EU genehmigt Förderung von 319 Millionen Euro

Das Vorhaben wird im Rahmen des European Chips Act unterstützt. Die Europäische Kommission hat staatliche Fördermittel in Höhe von 319 Millionen Euro genehmigt. Die formelle Förderzusage durch das zuständige österreichische Wirtschaftsministerium wurde laut Unternehmensmitteilung im Rahmen der vorgesehenen Fristen erwartet.

Die Förderung soll nicht nur zusätzliche Produktionskapazitäten in Europa schaffen, sondern auch das Umfeld für Forschung und Entwicklung stärken. Davon könnten Universitäten, Forschungseinrichtungen, Start-ups und kleine sowie mittlere Unternehmen profitieren, etwa durch Kooperationen und einen besseren Zugang zu neuen Technologien.

Österreichs Bundeskanzler Christian Stocker bezeichnete das Vorhaben als eine der größten Einzelinvestitionen in der Geschichte der heimischen Hightech-Industrie. Wirtschaftsminister Wolfgang Hattmannsdorfer verwies zudem auf mögliche Beschäftigungseffekte entlang der industriellen Wertschöpfungskette. Nach seinen Angaben plant Österreich, das Projekt mit bis zu 319 Millionen Euro zu unterstützen.

Villach als Zentrum der Leistungselektronik

Der Ausbau soll die Rolle Villachs als internationaler Standort für Leistungselektronik und neue Halbleitermaterialien festigen. Infineon Technologies Austria beschäftigt nach Unternehmensangaben rund 5.800 Menschen, davon etwa 4.800 in Villach. Dort befinden sich neben Produktionsanlagen auch Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten im Bereich Leistungselektronik.

Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende von Infineon Technologies Austria, sieht in dem Projekt eine Verbindung von Forschung und industrieller Anwendung. Die Investition soll damit nicht nur die Fertigungskapazitäten erweitern, sondern auch das österreichische Halbleiter-Ökosystem stärken.

Mit der geplanten GaN-Produktion setzt Infineon auf einen wachsenden Markt und zugleich auf den Ausbau europäischer Fertigungsmöglichkeiten für eine Technologie, die für energieeffiziente Stromversorgung zunehmend wichtig wird.

(red/Infineon)