Der Halbleiterhersteller Infineon errichtet für 1,1 Milliarden Euro eine neue Fertigung an seinem österreichischen Standort in Villach.
Halbleiterfertigung in Österreich
GaN-Fertigung in Österreich: Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro
Quelle: Kittyfly / Shutterstock.com
Es soll laut Infineon die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf großen 300 Millimeter-Wafern aus Galliumnitrid werden. Diese werden unter anderem in KI-Rechenzentren, Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik, aber auch Verbraucherelektronik eingesetzt.
Der Produktionsstart ist für Ende kommenden Jahres vorgesehen, die Investitionen werden aber über einen Zeitraum bis 2034 erfolgen. Infineon nutzt an seinem Standort bereits bestehende Reinraum-Kapazitäten.
Die Welt ist energiehungrig, erklärt Infineon-Chef Hanebeck die Nachfrage nach Galliumnitrid. Das Material habe gegenüber herkömmlichen Silizium-Halbleitern den Vorteil, dass es sehr viel schneller schalten könne – und damit sehr viel energieeffizienter sei. Dass man dies nun auf größeren 300 Millimeter-Wafern herstellen könne, sorge für massive Effizienzgewinne in der Produktion. Im Vergleich zu einem 200 Millimeter-Wafer könne man die 2,3-fache Menge an Chips erzeugen.
dpa
