Berichten zufolge plant Huawei gemeinsam mit SwaySure eine eigene DRAM-Fertigung in Shenzhen. Das Ziel ist die Versorgung eigener KI-Beschleuniger.
Nach Berichten von Halbleiteranalysten kooperieren die chinesische Stadtverwaltung von Shenzhen, der Speicherhersteller SwaySure und der Technologiekonzern Huawei beim Aufbau einer 12-Zoll-Speicherfabrik. Das Projekt zielt auf die Fertigung von DRAM-Speicherchips ab. In Branchenkreisen wird eine geplante Kapazität von 140.000 Wafern pro Monat genannt. SwaySure wurde im März 2022 in Shenzhen registriert, erhält kommunale Unterstützung und wird zusammen mit Huawei auf der Entity List des US-Handelsministeriums geführt. Unabhängige Bestätigungen für die aktuellen Pläne liegen nicht vor. Huawei hat in der Vergangenheit Angaben über den Betrieb eines eigenen Netzwerks staatlich geförderter Halbleiterfabriken zurückgewiesen.
Fokus auf High-Bandwidth Memory für KI-Beschleuniger
Branchenanalysten führen das Vorhaben auf den Bedarf an High-Bandwidth Memory (HBM) für Huaweis Ascend-KI-Beschleuniger zurück. Aufgrund von US-Exportkontrollen ist chinesischen Unternehmen der Bezug von HBM-Speichermodulen etablierter Hersteller wie Samsung oder SK Hynix weitgehend verwehrt. Die geplante Produktion dient nach Einschätzung von Beobachtern der Sicherung der eigenen Lieferkette für KI-Hardware und weniger der Belieferung des globalen Konsumentenmarktes mit DDR5-Arbeitsspeicher. Die künftige Produktionskapazität dürfte daher größtenteils vom chinesischen Binnenmarkt absorbiert werden.
Kapazitätsausbau beim chinesischen Branchenführer CXMT
Der Ausbau der eigenen Fertigung fällt in eine Phase veränderter Marktstrukturen bei DRAM-Speichern. Der größte chinesische DRAM-Hersteller CXMT erreicht nach Analystenschätzungen derzeit knapp 265.000 Waferstarts pro Monat. Bis Ende des Jahres 2026 wird eine Steigerung auf 350.000 Waferstarts angestrebt. Damit nähert sich das Unternehmen der Fertigungskapazität des US-Konzerns Micron an, dessen monatliche Kapazität auf rund 385.000 Waferstarts geschätzt wird.
(red)