TSMC und ASML stoßen Wechsel auf 12-Zoll-Fotomasken an

ASML und TSMC wollen den Umstieg auf 12-Zoll-Fotomasken für High-NA-EUV vorantreiben. Eine Pilotlinie ist für 2031 geplant.

Die Chipausrüster ASML und der Auftragsfertiger TSMC haben eine branchenweite Initiative angekündigt, um die Umstellung von den derzeit üblichen 6-Zoll-Fotomasken auf ein größeres 12-Zoll-Format für die High-NA-EUV-Lithographie einzuleiten. Die Partner wollen damit die Produktivität bei der Belichtung steigern, Fertigungskosten für zukünftige Chipgenerationen senken und physikalische Stitching-Grenzen (das Zusammensetzen kleinerer Belichtungsfelder) aufheben.

Zeitplan für die Einführung

Der Übergang zur nächsten Photomasken-Generation ist schrittweise angelegt:

• Ab 2030: TSMC plant den Einsatz der High-NA-EUV-Technologie von ASML in der Volumenfertigung fortschrittlichster Chipknoten – zunächst noch mit den etablierten 6-Zoll-Masken.
• 2031: Fertigstellung und Inbetriebnahme einer ersten Pilotlinie für die Produktion von 12-Zoll-Fotomasken.
• 2033: Angestrebte volle Einsatzbereitschaft entsprechender Lithographiesysteme für die Serienfertigung.

Treiber KI-Hardware

Haupttreiber für die steigende Nutzung von High-NA-EUV sind zunehmend komplexere Transistorarchitekturen, die insbesondere für KI-Prozessoren benötigt werden. Mit fortschreitenden Strukturgrößen steigt die Anzahl der Belichtungsschritte, die zwingend auf High-NA-Systeme angewiesen sind.

„Wir haben immer daran geglaubt, dass wir durch die branchenweite Zusammenarbeit komplexe Probleme lösen und Möglichkeiten erschließen, die kein Unternehmen alleine erreichen könnte. Indem wir Fachwissen aus der gesamten Wertschöpfungskette zusammenbringen, wollen wir die Hürden für Spitzentechnologie weiter senken.“

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Dr. C.C. Wei, CEO und Chairman von TSMC

(red)