Samsung präsentiert V-NAND-Memory-Lösungen für kommende Datenverarbeitungs- und Storage-Herausforderungen und zeigt auf dem Flash Memory Summit einen Ausblick in die Flash-Zukunft. Beispielsweise sollen ab 2018 die ersten 1-Terabit-V-NAND-Chips verfügbar sein. Spannung verspricht auch der »Next Generation Small Form Factor«. Mit diesen NGSFF-SSDs lässt sich in einem 1U flachen System ein halbes PByte darstellen.