Samsung baut das erste DDR5-Modul mit 512-GByte Kapazität. Der neue DRAM-Riegel bietet dabei mit bis zu 7.200 Mbit/s mehr als die doppelte Leistung von DDR4. Zum Einsatz kommt die »High-K Metal Gate«-Prozess-Technologie. Super-Computing, künstliche Intelligenz, maschinelles Lernen und Datenanalyse sollen die ersten Einsatzgebiete sein.
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Samsung baut das erste DDR5-Modul mit 512-GByte Kapazität. Der neue DRAM-Riegel bietet dabei mit bis zu 7.200 Mbit/s mehr als die doppelte Leistung von DDR4. Zum Einsatz kommt die »High-K Metal Gate«-Prozess-Technologie. Super-Computing, künstliche Intelligenz, maschinelles Lernen und Datenanalyse sollen die ersten Einsatzgebiete sein.
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